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Lyontek存储器  内存芯片  LY62W51316

Lyontek存储器 内存芯片 LY62W51316

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  • 产品特性

Lyontek存储器  内存芯片  LY62W51316

       SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAMDynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,功耗较小,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。

 主要有:

1. 存储容量: 存储单元个数M×每单元位数N

2. 存取时间:从启动读()操作到操作完成的时间

3. 存取周期:两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间

4. 平均故障间隔时间MTBF(可靠性)

5. 功耗:动态功耗、静态功耗



深圳英尚微电子有限公司

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