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Lyontek存储器  半导体存储器  LY6251216A

Lyontek存储器 半导体存储器 LY6251216A

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  • 产品特性

Lyontek存储器  半导体存储器  LY6251216A

       SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAMDynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,功耗较小,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。


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